技术简介： 摘要：本发明公开了一种钯铁氧化物燃料电池催化剂，在活性炭上负载Pd和Fe元素，结构式为Pd‑Fe/C，所述Pd‑Fe负载量为20～50％；所述Pd‑Fe粒径为3.5～4.5nm。本发明还公开了该催化剂的制备方法…… 查看详细 >
技术简介： 该项目是国家自然科学基金支持项目，属敏感电子学领域。其包括串并联系列压电复合材料及用该材料设计制作的水换能器，主要用于水声及超声探测、医疗成像等领域。众所周知，压电复合材料因其具有…… 查看详细 >
技术简介： 该装置额定数据：装置工作电压，AC/DC220V，-20%～+15%；交流电流5A；交流电压100V；频率50Hz。测量范围及误差：电流0.1A～10A；电压0.1V～120V；误差不超过0.5%。保护定值范围及误差：电流为0.…… 查看详细 >
技术简介： 该项目属于有机高分子材料及材料合成与加工工艺研究领域。有机微纳单晶材料作为一类可溶液法、大面积加工的光电材料,具有优异的光电性质,是新一代低成本、高性能有机光电器件的重要研究方向。针…… 查看详细 >
技术简介： 1、课题来源与背景氙灯是目前显色性最好的一种光源,被广泛应用于脉冲固体激光器、精密光学仪器等领域,而钨阳极是氙灯的关键部件之一。国内外研究表明,增加钨阳极表面散热面积能有效改善散热性能…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法,包括以下步骤：1.将聚乙烯醇溶液和饱和SiO?,溶胶混合制成粘结剂;2.将粘结剂添加到β-SiC颗粒中混合、造粒、模压制成坯体;3.将坯体干燥,排…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低热导的太赫兹探测单元微桥结构,该微桥结构包括桥墩、桥腿、桥面。桥墩连接底层读出电路与桥腿,桥腿呈悬空结构并连接桥墩与探测桥面,桥面由两只桥腿支撑形成悬空结构。桥面实…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺,包括以下步骤：在带有氮化硅或氧化硅衬底的硅片上溅射沉积NiCr薄膜;光刻,形成所需要的图形;将步骤所得的硅片放入刻蚀设备,用氯基气体与六氟化硫的混合…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2,P…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的β射线闪烁体探测器及其制作方法,主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型β射线探测器自下而上包括N型…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有槽栅超结的半导体功率器件的制造工艺难度较大的问题,提供了一种纵向功率半导体器件的制造方法,其技术方案可概括为：首先外延形成第一半导体区,在其…… 查看详细 >