[01150435]一种长寿命SiC发热元件的制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种长寿命SiC发热元件的制备方法,包括下述步骤：将下述组分按质量百分比配料：SiC,75～90％;Al2O3,1～5％;ZrO?,,1～5％;SiO?,,1～3％;Si,4～10％;C,1～5％;采用挤压成型工艺制成空心管;80～300℃烘干;氮气保护,1450～1650℃烧成,切割后制成发热部、检验电阻值后备用;将下述组分按质量百分比配料：SiC,70～90％,Ni,1～5％;Mo,1～5％;Ti,1～5％;TiC,1～5％;Si,5～10％;C,1～5％;采用与发热部相同的成型与烧结工艺烧成,切割后制成冷端部、检验电阻值后备用;在局部焊接温度1500～1600℃的条件下,将发热部的两端焊接上冷端部,完成整体发热元件的制备。