[01151058]槽型半导体功率器件
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技术详细介绍
本发明涉及一种半导体器件,该器件包括半导体衬底,所述半导体衬底上是半导体漂移区,所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区,所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构。所述半导体衬底上是高K介质,所述高K介质与所述第二导电类型的半导体区相邻。所述半导体漂移区上是有源区。所述高K介质上是槽栅结构,所述槽栅结构与所述有源区相邻。其中,所述第二导电类型的半导体区通过小倾角离子注入形成,因此宽度窄且浓度高。