[01148562]基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
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本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘上层晶圆级单轴应变Si的制作方法,其实现步骤为：清洗SOI晶圆,并注入He离子;在离子注入后的SOI晶圆顶层上淀积1GPa以上的压应力SiN薄膜或1GPa以上的张应力SiN薄膜,并刻蚀SiN薄膜成条形阵列;对带有SiN薄膜阵列的SOI晶圆进行退火;腐蚀去除SOI晶圆表面上的SiN薄膜阵列,得到氮化硅埋绝缘层晶圆级单轴应变SOI材料。本发明利用SiN埋绝缘层在条形SiN薄膜阵列作用下的单轴拉伸或单轴压缩塑性形变在顶层Si引入应变,与现有半导体工艺兼容,可用于制作高温、超高速、抗辐照及大功率半导体器件和集成电路。