[01135686]AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决器件工作频率低和抗辐照性能差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层、GaN冒层和源、漏、栅电极,其中栅电极采用透明的ZnO,该ZnO栅电极的下面蒸发有Ni金属粘合层,两侧有SiN保护层。该ZnO栅电极中掺杂有Al2O3,且ZnO栅电极的长度与源、漏电极之间的距离相等。本发明器件的制作过程依次是：先进行外延材料生长;再制作ZnO栅电极,最后利用自对准的方法在ZnO栅电极的两侧制作源漏电极。本发明具有频率特性高和抗辐照特性好的优点,可作为高频和高速电路中的电子元件。