技术简介： 该项目属于半导体照明工程高效集成大功率LED光源关键技术和汽车照明应用技术领域。大功率LED作为新能源汽车车灯光源，与传统的卤钨灯、HID灯相比，在节能、环保、设计自由度等方面具有明显的优…… 查看详细 >
技术简介： 一种结型场效应晶体管的制作方法,属于半导体器件领域。传统结型场效应晶体管的制作工艺中,栅源隔离氧化层由于作为扩散工艺的掩蔽层,制作过程中会在隔离氧化层里面引入许多杂质以及缺陷,会降低结…… 查看详细 >
基于CH3NH3PbI3材料的衬底反光增强N型异质结HEMT及其制备方法
技术简介： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的衬底反光增强N型异质结HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底;在衬底下表面形成反光层;在衬底上表面制作源漏电极;在衬底上表面形成电子传输层;在电…… 查看详细 >
技术简介： 一种SOI横向功率MOSFET器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明在漂移区引入介质槽,槽内填充两种或两种以上的介质材料,且介质材料的介电系数低于有源层的介电常数,同时介电系数自下而上逐渐递…… 查看详细 >
技术简介： 该项技术为解决有直配出线之旋转电机的大气过电压保护问题。运行中电机防雷保护所需避雷器保护比应在１．２４以下，而目前国内外生产的避雷器均不能满足此要求。该项技术的要点是将氧化锌电阻与…… 查看详细 >
基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的AlN埋绝缘层上Si晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种太赫兹波探测器及其制备方法,用于太赫兹波段辐射探测,该太赫兹波探测器包括：顶层复合敏感薄膜层,以及位于顶层复合敏感薄膜层下的超材料金属空心十字吸收层,空心十字图形为中心…… 查看详细 >
技术简介： 一种纳米PbS薄膜的制备方法,将分析纯的Pb（NO3）2加入蒸馏水中,得A溶液;将分析纯的Na2S2O3·5H2O加入蒸馏水中,得B溶液记;将分析纯的乙二胺四乙酸二钠（EDTA）加入蒸馏水中,得C溶液;向A溶液中分别…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法,其实现步骤为：对绝缘层上硅锗SGOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;在离子注入后的SGOI晶圆顶层SiGe…… 查看详细 >
技术简介： 本发明为一种适用于微量液体混合化学发光反应的器件,包括上下配合的上盖板和下底板;上盖板外侧两端部设有凹室,上盖板内侧面中部设有微量液体流经的微流道结构,微流道结构分为进样、混合和废液流…… 查看详细 >
技术简介： 随着能源危机和环境污染问题的日益严重，作为绿色能源的风能受到世界各国的高度重视。据全球风能理事会统计，全世界风电装机容量的年均增长超过30%,中国的装机容量占据了世界总量的34.7%。然而…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种激光二极管泵浦固体激光器中晶体端面散热对接方法,其特征是：上支架（5）下端有圆心向下的半圆空腔,下支架（6）上端有圆心向上的半圆空腔,下支架（6）有与半圆空腔轴向垂直一体的…… 查看详细 >