[01412273]一种纳米PbS薄膜的制备方法
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面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
非专利
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技术详细介绍
一种纳米PbS薄膜的制备方法,将分析纯的Pb(NO3)2加入蒸馏水中,得A溶液;将分析纯的Na2S2O3·5H2O加入蒸馏水中,得B溶液记;将分析纯的乙二胺四乙酸二钠(EDTA)加入蒸馏水中,得C溶液;向A溶液中分别加入溶液B和溶液C,得D溶液,将D溶液加入电沉积装置中,以石墨为阳极,ITO玻璃作阴极,采用超声阴极旋转恒电压沉积法在ITO基板上制备PbS薄膜。本发明以Pb(NO3)2和Na2S2O3为主要原料,采用超声阴极旋转恒电压沉积法制得沿(111)和(200)晶面生长良好的PbS薄膜。该方法工艺简单,成本较低,沉积时间短,沉积面积大且制得的薄膜均匀致密。
一种纳米PbS薄膜的制备方法,将分析纯的Pb(NO3)2加入蒸馏水中,得A溶液;将分析纯的Na2S2O3·5H2O加入蒸馏水中,得B溶液记;将分析纯的乙二胺四乙酸二钠(EDTA)加入蒸馏水中,得C溶液;向A溶液中分别加入溶液B和溶液C,得D溶液,将D溶液加入电沉积装置中,以石墨为阳极,ITO玻璃作阴极,采用超声阴极旋转恒电压沉积法在ITO基板上制备PbS薄膜。本发明以Pb(NO3)2和Na2S2O3为主要原料,采用超声阴极旋转恒电压沉积法制得沿(111)和(200)晶面生长良好的PbS薄膜。该方法工艺简单,成本较低,沉积时间短,沉积面积大且制得的薄膜均匀致密。