技术简介： 一、项目简介SiC高温压力传感器由于碳化硅材料具有的带宽度宽的特点，在其耐高温、抗辐射性能上都有良好的特性。得益于碳化硅材料的微电子工艺的发展，以碳化硅为材料的高温压力传感器越来越多…… 查看详细 >
技术简介： 技术原理气体传感器被应用于多种环境，在不断地更新换代中，半导体气体传感器由于其相对低廉的制造成本和优异的性能，被广泛关注。传统半导体气体传感器大多以硅作为基底，使得这些器件受到硅材…… 查看详细 >
技术简介： 技术原理1.超长距离7x24小时预警监控：监控距离>40Km。2.定位精确，响应时间短：振动入侵定位精度3.探测率高，误报率低。4.抗干扰性高，隐蔽性强：传感光纤不受电磁干扰影响且无电磁辐射。技术…… 查看详细 >
技术简介： 金属/陶瓷复合材料或部件一定程度上可以充分发挥两类材料的性能优势，如陶瓷材料的高强、高硬、耐磨损等特性和金属材料的高韧性和高延展性，使得其在磨损、承载和抗重载冲击等服役环境下得到长…… 查看详细 >
技术简介： 金属空气燃料电池在继承燃料电池优点的基础上，将金属材料的高能量密度与空气中氧气的无限储备相结合，可以有效提高电池的理论能量密度，是开发高性能电池的理想解决方案之一。锌空气电池理论质…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明的目的在于提供一种OLED器件结构，包括设于底层的玻璃基板，其特征在于：所述玻璃基板上依次设有阳极层，空穴传输层，有机发光层，电子注入缓存层，阴极层和封装薄膜层。本发明采用…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；绝缘层通过采用溶液…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于柔性钼衬底的铜锌锡硫的铝电极的制备方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，最后依次使用化学水浴法、溅射法、蒸发法制备缓冲层…… 查看详细 >
一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法
技术简介： 摘要：本发明涉及一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法，选用无掺杂高质量的半导体量子阱材料，用能量高于此半导体量子阱带隙的光照射样品，同时改变半导体量子…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种调控闪锌矿结构半导体量子阱自旋轨道耦合的方法，通过改变闪锌矿半导体量子阱的阱宽以及在量子阱的其中一个界面上插入超薄InAs层来调控半导体量子阱的Rashba和Dresselhaus…… 查看详细 >
技术简介： 本发明实施例公开了一种氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，其中氮化镓基场效应晶体管结构包括：衬底、缓冲层、背势垒层、沟道层、势垒层、p型栅层和钝化层；与p型栅层接触的栅极，以及与势垒层…… 查看详细 >