[00231048]埋入式薄膜电阻材料及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310566007.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院深圳先进技术研究院
进入空间
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种埋入式薄膜电阻材料及其制备方法。该埋入式薄膜电阻材料按原子百分比计，包括镍50～76%、铬10～18%、碳10～30%和钨0.5～5%。通过磁控溅射技术把镍、铬、碳和钨原子沉积于铜箔衬底上得到镍铬碳钨薄膜，经实验表明，使用该镍铬碳钨薄膜的埋入式薄膜电阻器件的电性能较稳定，方阻值较高。
本发明涉及一种埋入式薄膜电阻材料及其制备方法。该埋入式薄膜电阻材料按原子百分比计，包括镍50～76%、铬10～18%、碳10～30%和钨0.5～5%。通过磁控溅射技术把镍、铬、碳和钨原子沉积于铜箔衬底上得到镍铬碳钨薄膜，经实验表明，使用该镍铬碳钨薄膜的埋入式薄膜电阻器件的电性能较稳定，方阻值较高。
