技术简介： 本发明属于室温太赫兹探测阵列成像技术领域,提供一种太赫兹探测阵列的片级封装结构,用以解决探测阵列对太赫兹辐射的吸收率低,探测阵列封装结构复杂、成本高、体积大、达不到便携式的要求等问题…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高击穿电压氧化镓肖特基二极管结构,自下而上包括高掺杂n型Ga2O3衬底（1）和低掺杂n型Ga2O3外延层（2）和阳极电极（4）,衬底的下表面沉积有阴极电极（5）,阳极电极与外延层（2）…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种双异质结光探测器的制备方法,包括：（a）对半绝缘半透明衬底进行清洗;（b）在所述衬底上生长底电极层;（c）在所述底电极层上生长第一MoS2层;（d）在所述第一MoS2层上生长杂化钙钛…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件，其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种适用于半导体集成电路的电流熔断多晶熔丝电路，主要解决现有多晶熔丝电路面积过大的问题。它包括：多晶熔丝、熔断控制电路和输出变换器，该多晶熔丝串联在外部半导体集成电路电源…… 查看详细 >
技术简介： 【摘要】本发明公开了一种将石墨烯薄膜转移到TEM铜网上的方法，其特征在于：先将TEM铜网吸附在静电吸附膜上，再在其上转移石墨烯薄膜。本发明通过将TEM铜网吸附在静电吸附膜上，宏观上间接扩大…… 查看详细 >
技术简介： 本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法，所制备的硅薄膜厚度为0.01μm～5μm，使用的设备为磁控溅射设备，包括以下步骤：选取基材，进行前清洗处理;放置于工装架上，送至磁控…… 查看详细 >
技术简介： 一种槽型纵向半导体器件的制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、高温扩散、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种一种槽型纵向半导体…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高速列车功能分区受电弓滑板根据受电弓滑板的现场实际磨损情况对滑板进行材料构成分区：滑板前后两个边缘各四分之一区提高滑板的物理机械性能和摩擦磨损性能;滑板中部在浸金属…… 查看详细 >
技术简介： 一种槽型横向MOSFET器件的制造方法,属于功率半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、热生长形成绝缘介质层、淀积半导体层、平坦化半导体层、倾斜离子注入、高温推结、淀积绝缘介质以及平…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种带隙改性GeCMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底;在Si衬底上生长Ge薄膜层、Ge层;在Ge层上生长GeSn层;在GeSn层和Ge层内制作STI;在GeSn层表面淀积栅介质层和栅极…… 查看详细 >
基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法
技术简介： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底;形成FTO薄膜;制备CH3NH3PbI3材料以形成第一光吸收层;在第一光吸收层表面形成第一电子传输层;在第一电子…… 查看详细 >