技术简介： 本发明公开了量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置及方法。通过PID算法或人工调控帕尔帖电流开关来控制PPKTP晶体温度,有较大滞后性和误差。本发明的磁悬浮系统对PPKTP晶体进行定位,避免PPKTP…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种波浪形ITO透明电极及有机太阳能电池,所述波浪形ITO透明电极由下到上依次包括衬底和波浪形ITO导电膜；所述波浪形ITO导电膜的截面为由若干个曲线单元构…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于存储设备技术领域,具体涉及一种高集成度相变存储器阵列结构,包括单元；单元包括芯骨,芯骨的相对两面或周向四面向外依次设置有相变材料层、沟道层、多晶硅层、门电极；数个单元通过三…… 查看详细 >
技术简介： 本发明实施例公开了一种氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，其中氮化镓基场效应晶体管结构包括：衬底、缓冲层、背势垒层、沟道层、势垒层、p型栅层和钝化层；与p型栅层接触的栅极，以及与势垒层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种透明导电基板，包括透明基板，以及设置在所述透明基板某一表面的透明导电薄膜，所述透明导电薄膜的表面具有多个凹陷微纳结构，所述多个凹陷微纳结构通过湿法刻蚀形成。这些凹陷…… 查看详细 >
技术简介： 项目内容离子束辅助沉积（IBAD）把离子注入和常规的物理气相沉积技术结合起来，兼备了二者的优点而消除了二者的缺点，最显著的改善在于提高了膜的结合强度以及在常温下合成。1971年S.Aisenberg…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于纳米技术领域，具体涉及一种锡锗合金材料的制备方法和锡锗合金材料。本发明所提供的制备方法包括：在惰性气氛下，将锡纳米颗粒和锗前驱体分散在反应溶剂中，获得混合物；将混合物持续…… 查看详细 >
技术简介： 项目内容：本软件能迅速方便地进行供配电网各方式下的潮流分析计算，为供电网的规划、设计和运行管理提供以下信息：（1）潮流计算结果，各母线节点电压值、相角；（2）各支线首末端有功功率、无…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种保偏光纤合束器的制作装置，制作装置包括夹持装置、观测装置及测量装置。夹持装置包括多个可转动的收容孔，每个收容孔用于夹持一根保偏光纤。观测装置用于观测保偏光纤的端面以供…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明的目的在于提供一种OLED器件结构，包括设于底层的玻璃基板，其特征在于：所述玻璃基板上依次设有阳极层，空穴传输层，有机发光层，电子注入缓存层，阴极层和封装薄膜层。本发明采用…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；绝缘层通过采用溶液…… 查看详细 >