技术简介： 本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中,下层…… 查看详细 >
技术简介： 项目研究的背景及用途：随着国内汽车保有量的增加，汽车被盗案件呈上升趋势。如何提高汽车的防盗性能，保证车辆财产安全，一些厂商陆续推出了一些汽车防盗产品。主要有机械式和电子式汽车防盗产…… 查看详细 >
技术简介： 农作物秸秆具有资源和污染双重特性,如果得不到有效合理的处理利用,将会对环境造成污染。秸秆随意丢弃于田间地头,污染了环境,恶化农村生态环境,影响美丽乡村建设。秸秆田间焚烧会产生大量的浓烟,…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种恒流JFET器件及其制造方法。本发明的恒流JFET器件,其特征在于所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的,从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种集成红外屏蔽结构的太赫兹波室温探测单元及其制备方法,用于太赫兹波段的高性能探测。所述探测器的顶层是金属网格结构图形,作为过滤和屏蔽红外波段的结构;第二层为复合薄膜微桥…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层,n^+GaN集电极欧姆接触层,第一GaN隔离层,第一InAlN势垒层,GaN主量子阱层,第二InAlN势垒层,InGaN…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件,该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、栅场板和保护层,势垒层上开有凹槽,绝缘槽栅位…… 查看详细 >
技术简介： 项目内容：本项目包括两部份。第一部份为GPS车辆组合定位技术。由于GPS信号受周围环境的影响，GPS车辆定位信息常常中断，本研究成果将低度成本的方向传感器、汽车里程计及电子地图有机地组合在…… 查看详细 >
基于SiO2掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法
技术简介： 本发明公开了一种基于SiO2掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法。其过程为：制造出N/P阱,并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiO2/Poly-Si多层结构;将最上层的Poly-Si刻蚀成一个窗口,再淀积一…… 查看详细 >
技术简介： 在户外野营时很多时候都要用到饮用水,但户外很多水的水质到底如何是不清楚的,需要进行一定的净化程序才能放心饮用,但目前还很少有专门用于户外的水净化装置。本发明所要解决的技术问题是,提供一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种红外焦平面阵列的行选通电路,包括行选控制信号发生器及其控制连接的分别位于每个像素单元（Rs）两端、各自对应的二个选通开关,其特征在于：红外焦平面阵列每列中第2K和2K＋1个…… 查看详细 >
技术简介： 课题来源：该项目为2009年桂科计字〔2009〕228号文件下的广西自治区科技计划项目《50W汽车LED前照灯驱动器研究与开发》（合同编号：桂科攻11107001-20）。技术原理和性能指标：近年来，由于全球…… 查看详细 >