技术简介： 本发明提供一种横向高压器件及其制备方法,器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区,第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳纳米管和高TCR细胞色素C复合的吸收敏感复合薄膜的THz探测结构制备方法。该吸收敏感复合薄膜制备在太赫兹探测结构的顶层。该复合薄膜利用了碳纳米管的特殊光学性质,能显著…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中,下层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种磁控溅射装置,包括：相对设置的U型板形成的双轨道结构,双轨道结构的U型口相对,设置于双轨道结构下沿之间且相对于双轨道结构下沿移动的电极块,以及设置于双轨道结构中间,且位于…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaNHEMT器件的实现方法,它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低,工艺简单,重复性好,可靠性高,对材料损伤小,可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEM…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管结构及制作方法,主要解决GaAs基太赫兹耿氏器件输出功率极低的问题。该二极管包括SiC衬底层、AlN成核层和GaN外延层,其中SiC衬底层为n型…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种非均质功能器件快速成形微制造方法,采用下述方法步骤：根据制造非均质功能器件的要求,将不同的金属、合金材料或者非金属材料作为成形材料分别放入不同的液滴发生装置中,将低熔…… 查看详细 >
技术简介： 具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极结构;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法。其实现步骤是：1)在清洗后的SOI晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;2)对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并去除非晶化层上的SiO2…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件,该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、栅场板和保护层,势垒层上开有凹槽,绝缘槽栅位…… 查看详细 >
技术简介： 二氧化碳的大量排放使全球变暖,世界各地极端气候频发。资料表明,全球航运业二氧化碳排放量大概占全球温室气体排放量的,此外,船舶排放也是空气中的主要来源之一。由于船舶排放对环境的污染日趋严…… 查看详细 >
技术简介： 课题来源与背景：QD116多功能LED车灯在外观方面对市场现有产品有较大突破，外观新颖时尚，在灯具功能方面严格按照技术标准执行，采用了高亮度、高流明的LED发光元件，配合了透镜式的配光设计，…… 查看详细 >