[01369288]一种高宽容度液晶选通电荷耦合器件及其制备方法
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面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
非专利
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资料待完善
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技术详细介绍
本发明公开的光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件及制备方法,电荷耦合器件包括从上往下依次设置的二向色滤光片、红外吸收滤镜、控制线和微型信号线及通过隔膜隔断的多个液晶单元构成的液晶层、相位板及其两侧的低通滤镜、硅衬底层和下面设置的SiO2氧化层与多个金属铝栅电极,微型信号线与对应的液晶单元单向连接,液晶单元、P型硅单元和金属铝栅电极一一对应,液晶单元的上下表面分别近贴一片偏振方向相互垂直的线偏振薄膜。在硅衬底下表面生长SiO2氧化层并形成金属铝栅电极,硅衬底的上表面依次近贴各功能层,制得高宽容度液晶选通电荷耦合器件,本发明用于民用成像系统,大幅度提高该成像系统的宽容度,实现高质量成像。
本发明公开的光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件及制备方法,电荷耦合器件包括从上往下依次设置的二向色滤光片、红外吸收滤镜、控制线和微型信号线及通过隔膜隔断的多个液晶单元构成的液晶层、相位板及其两侧的低通滤镜、硅衬底层和下面设置的SiO2氧化层与多个金属铝栅电极,微型信号线与对应的液晶单元单向连接,液晶单元、P型硅单元和金属铝栅电极一一对应,液晶单元的上下表面分别近贴一片偏振方向相互垂直的线偏振薄膜。在硅衬底下表面生长SiO2氧化层并形成金属铝栅电极,硅衬底的上表面依次近贴各功能层,制得高宽容度液晶选通电荷耦合器件,本发明用于民用成像系统,大幅度提高该成像系统的宽容度,实现高质量成像。