毫米波频段氮化镓（GaN）射频芯片生产线扩建项目

本项目充分应用自主研发技术，，购置国内外关键生产设备和量产设备，在现有制程供应系统、无尘室建置、排气处理系统、气体供应系统、化学品供应系统、废水系统、纯水系统等工程的基础上，扩建毫米波频段氮化镓（GaN）射频芯片生产线，主要从事毫米波频段氮化镓（GaN）射频芯片的生产，达产后新增芯片6000片的年产能（4吋片），具备0.25μm、0.15μm特征线宽的GaN RF芯片批量生产能力，同时优化项目代表产品并实现产业化批量生产，以满足民用市场成本与性能的双重竞争目标，为毫米波段5G基站核心元器件的国产化提供保障。