开发用于晶圆级封装中的清洗制程;可选毛刷、高压水、兆声波多种清洗方式;高压氮气,可吹干晶圆正面;叠层设计,占地面积小,最多可配置4个清洗单元;芯片尺寸Wafer size:300mm~100mm;颗粒去除率:≥95% @0.3 µm Size.
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