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4H-SiC外延生长技术

截止时间: 2022-12-30 行业分类: 电子信息,新型材料 发布时间:2020-03-13 投入预算:50 万元 联系人:郑经理 福建厦门市
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需求简介

1、行业共性技术需求:(1)4H-SiC外延缺陷形成机理和抑制技术。
(2)4H-SiC外延缺陷与器件性能之间相关性的问题,不同器件所对应的致命外延缺陷问题。
2、拟与高校、科研院所合作开发。

相关需求信息

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