1、行业共性技术需求:(1)4H-SiC外延缺陷形成机理和抑制技术。(2)4H-SiC外延缺陷与器件性能之间相关性的问题,不同器件所对应的致命外延缺陷问题。2、拟与高校、科研院所合作开发。
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