6/8英寸GaN-on-Si外延生长技术
截止时间：
2020-12-31
行业分类：
电气自动化
发布时间：2019-10-25
投入预算：面议
联系人：张经理
福建厦门市
需求简介
技术需求描述：需求6/8英寸Si衬底上外延生长GaN技术，以满足公司发展需要以及研发设计需求。目标：1.Si衬底尺寸：6英寸，8英寸；2.外延层厚度要求：THK>=6um，STD <=4%；3.外延层表面要求：表面无龟裂（扣除边缘<=5nm）；4.外延层晶格质量：XRD(002)<=300”，XRD(102)<=350”；5.外延层方块电阻：Rs<=350Ω/□；6.外延层翘曲度：Bow for 6inch<=40um, Bow for 8inch<=80um。
技术需求缘由：新产品开发
意向解决方式：购买专利、技术转让、委托开发、合作开发
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