技术需求描述：希望实现：1.6吋0.25μm GaN功率管外延材料设计、生长技术，高压、高线性、高效率器件技术；2.国产SiC高纯单晶验证技术；3.4吋0.10 /0.15μm GaN MMIC及6吋0.13μm GaAs MMIC外延材料设计和生长技术；4.高频、高线性、高效率器件技术，建模技术；5.毫米波预失真单片技术，在片测试技术；6.研究影响产品性能的关键外延、晶圆加工工艺，优化工艺参数，提高工艺Cpk值，制作工艺SPC技术研究；7.建立0.25μm GaN功率管、4吋0.10 /0.15μm GaN MMIC及6吋0.13μm GaAs MMIC的外延材料和器件产业化技术平台。目标：基于自主工艺技术平台，根据5G移动通信系统架构要求，研发基站和终端用毫米波宽带、高效、高线性功率放大器和线性化电路及滤波器，形成5G发射链路核心器件解决方案和基于自主知识产权的产品规范与标准，通过5G组件和系统应用验证，具备批产能力，满足下一代移动通信民用市场成本与性能的双重竞争目标。技术需求缘由：新产品开发意向解决方式：合作开发
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