SiC外延片产业化技术开发
截止时间：
2019-07-30
行业分类：
电子信息
发布时间：2018-07-30
投入预算：100 万元
联系人：林经理
福建厦门市
需求简介
希望提供：SiC外延生长过程中缺陷形成机理方面的研究；SiC外延生长过程中缺陷抑制技术的开发。希望最终实现：1.针对4英寸、6英寸4H-SiC外延生长，探索研究三角形缺陷、层错等缺陷的形成机制；2.开发出低缺陷密度的高质量4英寸、6英寸4H-SiC外延片，实现表面三角形缺陷密度小于0.2 cm-2，层错密度小于0.5 cm-2。（新产品开发或制造工艺与设备改进，合作开发）
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