发展大尺寸数位X光平板传感器之直接式光电转换层
技术详细介绍
技术简介：
本技术使用真空蒸镀法制备非晶硒，作为直接转换式X光平板传感器之光电转换层。透过蒸镀制程参数的最佳化，使硒厚膜达高光电转换效率。技术规格：
1.硒厚膜具非结晶相且厚度约达200 μm
2.对X光的灵敏度达216 pC cm-2 mR-1
3.高压封装使大尺寸硒厚膜应用于X光平板传感器可耐1200 V电压而不损坏技术特色：
本技术使用制程参数最佳化使光电转换层达高光电转换效率，并对光电转换层进行温控程序使光/暗电流的表现皆具改善效果。应用范围：
X光平板传感器的影像侦测端