异质接面太阳电池及关键制程开发技术
技术详细介绍
技术简介：
本研究穿隧型异质接面太阳电池中的穿隧异质接面(N-poly Si/SiO2/Si)的物性探讨，藉由田口实验法，来降低其复合电流密度达2.8 fA/cm2，使具有优异的表面钝化效果。在正面金属化制程是使用雷射开孔加上铜电镀来制作电极。利用电镀时的电流与时间可以控制铜的厚度与线宽，在45μm的线宽下，电池的短路电流密度已经可以达到40.68 mA/cm2。背面则使用ITO加上Ag来当作电极。利用背面N-poly与ITO制程开发及正面Emitter/Al2O3制程开发提升钝化效果，太阳电池元件最高效率达成23.53%。
本研究也藉由磁控溅镀方法开发高载子迁移率制程，在室温下于N-Poly上制作ITO薄膜，发现LPCVD所镀制的N-poly层在高磁场沉积下可以维持较低的J0以及较高的implied Voc。在ITO载子迁移率研究方面，实验发现随着沉积温度越高，载子迁移率从41提升至56.8 cm2/V sec，此外也透过250℃后退火的方式要再将晶界上的缺陷进行修补，在尺寸6 mm × 6 mm的样品上迁移率达成61.1 cm2/V sec。技术规格：
穿隧层与n型多晶硅结构复合电流密度40 cm2/V sec技术特色：
1.表面钝化优良,低复合电流密度
2.ITO高载子迁移率应用范围：
太阳能产业