多功能SEM显微结构与成分分析技术服务
技术详细介绍
技术简介：
一般金属、陶瓷、半导体、高分子等材料领域之微观组织、成份、发光特性研究。奈米材料、奈米元件之形貌、结构分析。IC半导体、封装、光盘、LED等光电相关产业之破坏、故障分析等技术规格：
Gun：In-lens Thermal Field Emission Gun(Schottky type)Resolution：1.5nm(at 15kV)，5.0nm(at 1.0kV)(SEI Image)Operation Voltage：0.5~30kV；Probe Current：200nA Max. Specimen Stage：Eucentric, X=70mm，Y=50mm，Z=23.5mm(WD=3~41mm), T=-5~65°，R=360°Max.Specimen Size：150mm dia*10mm H技术特色：
a).EDS用于成份分析，包括定性、半定量、特定区 域化学元素之mapping及line?scan等 ;b).CL用于发光光谱量测、影像分析、微量杂质、缺陷分析;c).EBSD用于多晶材料之晶体结构、取向、微区织构、晶粒、晶界性质分析等;应用范围：
应用于任何产业