大面积高均匀镀铜技术
技术详细介绍
技术简介：
以溅镀之金属膜层作为后续电镀制程之Seed Layer，并辅以半加成法(Semi-additive Method)技术搭配面板级大面积电镀设备进行厚膜铜电镀制程，以达到大面积且均匀性高之铜导线需求。技术规格：
1. 高解析导线线宽/线距：2 μm/2 μm@ 370 mm × 470 mm Glass Size。
2. 铜导线厚度均匀性≧90 % ，电镀可填孔孔径 2 μm@ 370 mm × 470 mm Glass Size。
3. 可通过 85℃/85% R.H., 500小时后，无Open/Short，导线外观无损伤，且导线与介电层界面附着力5B之导线结构可靠度验证。
4. 可通过55℃/125℃循环 1,000次后，无Open/Short，导线外观无损伤，且导线与介电层界面附着力5B之导线结构高低温冷热冲击验证。技术特色：
以溅镀之金属膜层作为后续电镀制程之Seed Layer，并辅以半加成法(Semi-additive Method)技术搭配面板级大面积电镀设备进行厚膜铜电镀制程，以达到大面积且均匀性高之铜导线需求。应用范围：
高阶芯片(高I/O数)