穿隧型异质接面太阳电池制程整合技术
技术详细介绍
技术简介：
由于异质接面太阳电池的生产设备的成本造价昂贵，与制程每一步都要求非常严格，因而侷限大规模量产发展。本计划目的即是提出一新的技术构想，开发穿隧型异质接面电池，取代一般异质接面的非晶硅结构，利用超薄穿隧氧化层结构，有效降低芯片表面缺陷。在穿隧层与n型多晶硅结构钝化结构的开发过程发现，孔洞去除、退火温度、以及与掺杂浓度对载子生命周期(life time)有很大的影响。在p型多晶硅钝化结构上，调变掺杂浓度，使得life time能够达到4.3 msec，显示p型多晶硅也具有良好的钝化能力。利用热氧化能够成长超薄的氧化层，获得良好的氧化层厚度控制。透明导电膜(TCO)除了作为载子传输层外，也作为抗反射层之用，必须利用其折射率与厚度的匹配来达到反射光最低，也就是大部分的光都进入至元件当中，同时要利用退火手段来修复TCO溅镀过程中对表面所造成的损伤后。P型多晶硅与n型多晶硅相比之下，其片电阻高了许多，因此降p型多晶硅电阻是能够降低整体元件串联电阻与提高填充因子(FF)的办法之一。 后续将朝向提高表面钝化效果以及元件的金属化技术进行，以因应未来导入试量产线之准备。技术规格：
穿隧层与n型多晶硅结构钝化少数载子生命周期: 2 ms； 穿隧层与p型多晶硅结构钝化少数载子生命周期: 2 ms技术特色：
1.高开路电压
2.高少数载子生命周期应用范围：
太阳能产业