全周期生产NTD(中子嬗变掺杂)硅
技术详细介绍
TPU已开发并已成功地应用硅的中子嬗变掺杂技术，从而允许获得掺杂元素的高空间均匀度，而其它方法不能实现。中子嬗变掺杂技术的主要质量指标是掺杂的均匀性包括：
?径向非均匀掺杂不大于3 ％ ;
?体积的非均匀掺杂不超过5 ％。
目前我们拥有每年5吨硅的掺杂量能力。所有原料（单晶硅）被导入。目前利用托木斯克托木斯克经济特区免税制度，有机会提升产能达20万吨/年，并在这里组织单晶硅。生产掺杂硅可用于在夏威夷太平洋大学科技园制造大电流电子设备。
建议：
创建一家合资企业形成一个制造基于中子嬗变掺杂单晶硅的电子元器件的完整生产链条。
- 在托木斯克地区经济特区创建一个单晶硅生产线;
- 生产设备现代化以提高硅的中子嬗变掺杂生产能力;
- 在夏威夷太平洋大学科技园组织电子元件工业的生产线。
参与者：
- 托木斯克理工大学 – 负责NTD硅生产技术与设备。
- 经济特区 – 提供好的税收政策和生产条件。
寻找：
- 技术合作伙伴 - 生产芯片和成品的技术。
- 投资者