纯度高低位错的锗单晶抑氧制造技术
技术详细介绍
无位错单晶锗是一种重要的半导体材料，用于制造晶体管及各种电子装置。主要的终端应用为光纤系统与红外线光学（infrared optics），也用于聚合反应的催化剂，电子用途与太阳能电力等。为了减少鍺晶体中的位错密度，本项目给出一个定量参数的生长过程（热梯度值，结晶前的曲率等）。
目前，我们已经积累了大量的实践经验生产低位错晶体。基于数学模型的结果，理论分析和实验研究以确保晶体在最佳条件快速生长。
目前对无位错单晶的需求越来越大，特别是对于高纯锗晶体。无位错锗单晶的价格达到14000美元/公斤。目前，唯一生产这些锗品牌是“Umicore S.A.公司。
在未来，传热传质的调查完成，在锗氧行为，新容器的材料和在此基础上的无位错的晶体和HPG工业生产创造将有助于克服中国和俄罗斯工业部门对高纯度锗单晶的消费需求依赖进口的局面。