使用扩散控制膜在单晶硅上形成钴，锰，镍，钛，钽，铂过渡金属硅化物的可控热稳定性和电阻率的纳米尺寸薄膜
技术详细介绍
项目计划研究热稳定的纳米级镍单硅化膜扩散形成的条件。可在镍和铂共沉积时掺杂镍薄膜的方法来解决这个问题，或者通过使用附加的层作为扩散阻挡层和合金元素来源，在退火过程中来优化镍和硅的相互扩散速率。Ti, C, Pt等层将被用作扩散过程中的调节剂。
该项目主要是为了建立在 400-1000℃，在单晶硅上形成钴，锰，镍，钛，钽，铂纳米薄膜硅化物热稳定性的规律