用于高密度磁记录和信息储存的纳米尺寸薄膜磁性性能的优化
技术详细介绍
创建具有超高密度磁记录和信息存储设备是现代科学技术的一个显著问题。通过传统方法来增加记录密度已达到一定极限。目前，磁盘用于存储数字信息，在制造这种磁盘时，磁性材料层在非磁性基板上沉积，然后进行记录。作为磁性材料（磁性记录介质），它使用了包含磁性单畴颗粒（作为y-Fe2O3的规则）聚合物覆盖，以及磁性金属薄膜（（50-150）厚纳米），合金或氧化物（合金通常仅限于的Co基合金，如钴-镍，钴-镍-钨，钴-铂-镍等等）。位于几个颗粒中的磁畴的大小约为100nm。磁性薄膜具有一个颗粒结构，大小为薄膜厚度的颗粒。用于存储信息的磁性材料的矫顽力的范围在8A / m至37A / m之间，剩磁到达1.5T。
磁性记录和存储信息的密度达到10-15千兆位/平方厘米。由于密度的增加，需要有新的位于分离颗粒中，带有更小尺寸限制的磁畴，大小为5-15纳米的材料，这样就可以制作超高密度磁性记录和信息存储（Tbit/cm2）的记录媒介了。