[00945472]RE-GMF功能材料的制备及其开发应用
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技术详细介绍
该课题组采用离子束溅射（IBS）和磁控溅射的方法分别制备出了高性能的TbDy-Fe和SM-Fe两种正、负磁伸薄膜及其复合功能膜。测试表明，在使用RE-Fe靶材的条件下，采用IBS法制备出RE-GMF的性能优于平面磁控溅射法制备所得的薄膜材料；在IBS及磁控溅射制备技术中通过调整溅射几何关系和制膜工艺参数，可在各种基片（Polymide、硅晶片、铜基片、玻璃片等）上溅射获得表面呈镜面光亮、与基片结合牢固、成分接近靶材、膜厚为0.1～4μm左右的不同RE-GMF材料及其双面正、负磁伸复合膜。其磁致伸缩系数（室温下）λ11（TbDy-Fe）约为1000×10^(-6)（H=0.57T）、λ11（SM-Fe）约为2000×10^(-6)（H=0.57T）。通过正、负磁伸双面复合膜技术及膜材真空加热处理可在较大的范围内绸态膜材的磁伸性能及悬臂梁自由端位移量，以适应不同的应用要求。在膜材表面镀覆一层合适膜厚的深层能有效地保护RE-GMF功能膜材免于氧化失效。