[00921216]低成本、高质量金刚石膜生长技术及热学方面的应用研究
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非专利
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技术详细介绍
“低成本、高质量金刚石膜生长技术及热学方面的应用研究”项目采用了直流热阴极PCVD和EACVD方法制备金刚石膜,金刚石厚膜沉积直径达80mm,膜厚最大为4.2mm,最高热导率为15.6W/K.cm。所制备的金刚石厚膜具有低成本、高品质、无微裂纹等特点,已用于研制大尺寸金刚石膜热沉,抗辐射集成电路芯片和金刚石厚膜工具等产品。研究成果处于国内领先,达到国际先进水平。近五年内,获授权专利7项。与河南黄河旋风股份有限公司联合组建了金刚石膜及制品研究开发中心。
“低成本、高质量金刚石膜生长技术及热学方面的应用研究”项目采用了直流热阴极PCVD和EACVD方法制备金刚石膜,金刚石厚膜沉积直径达80mm,膜厚最大为4.2mm,最高热导率为15.6W/K.cm。所制备的金刚石厚膜具有低成本、高品质、无微裂纹等特点,已用于研制大尺寸金刚石膜热沉,抗辐射集成电路芯片和金刚石厚膜工具等产品。研究成果处于国内领先,达到国际先进水平。近五年内,获授权专利7项。与河南黄河旋风股份有限公司联合组建了金刚石膜及制品研究开发中心。