[00920537]新颖的立式高真空MOCVD系统及GaN外延生长
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技术详细介绍
该项目组研制的立式双室双气流MOCVD系统，结构独特，具有创新性，达到国内领先、国际先进水平。利用该MOCVD系统在蓝宝石和硅单晶衬底上成功的生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型GaN以及多量子阱多层结构材料，并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管，性能良好，具有实用价值。该设备的进一步推广应用，不仅能产生更大的经济效益，而且对推动中国GaN基光电子技术材料与器件的发展，提高相关产品的国际竞争力有重要作用。