[00917917]计算机控制型低压化学蒸汽淀积工艺与设备
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技术详细介绍
用微机控制生长薄膜技术是８０年代最新技术，该工艺是将大规模集成电路所需的氮化硅／多晶硅淀积所需的参数存储在计算机内，然后用计算机控制薄膜生长的全过程。这样可以根据工艺需要，通过计算机调节和控制，以达到最佳工艺效果，该工艺用微机控制ＬＰＣＶＤ装置用于生产科研实践，淀积出质量完美的氮化硅薄膜，其均匀性超过８０年代进口设备水平，片内均匀性＜±１．５％，片间均匀性＜±２．５％，批间均匀性＜±２．５％，适用于半导体器件，特别是大规模集成电路所需的薄膜的生长，ＬｐｅＶＤ生长工艺是一项８０年代的先进技术，有很大的经济效益，用计算机控制ＬｐｅＶＤ装置与工艺，可进一步提高ＬＳＩ生产的自动化水平，提高工艺的精确性，准确性，并可减少高频、废气对环境和操作人员的污染。