[00901984]基于冷烧结技术制备的高性能低介微波陶瓷及方法
交易价格:
面议
所属行业:
建筑材料
类型:
发明专利
技术成熟度:
通过小试
专利所属地:中国
专利号:CN202110254894.7
交易方式:
其他
联系人:
所在地:浙江杭州市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷及方法,方法包括以下步骤:(1)称取适量BaF-2原料并与不高于25wt%的去离子水进行混合;(2)将步骤(1)所得的固液混合粉末置于圆柱体模具中,同时放入热压机中进行冷烧结,获得陶瓷生坯;(3)将步骤(2)的陶瓷生坯置入80-200℃烘箱中烘干至恒重;(4)将步骤(3)的陶瓷生坯放入高温烧结炉中,在700-950℃退火处理获得致密的BaF-2微波介质陶瓷。利用本发明制备的BaF-2陶瓷致密度可高达98%,其品质因数相比较于传统固相烧结法可提高53.4%以上,在5G高频段通讯领域中天线基板,谐振器等电子元器件中有广泛的应用前景。
本发明公开了一种基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷及方法,方法包括以下步骤:(1)称取适量BaF-2原料并与不高于25wt%的去离子水进行混合;(2)将步骤(1)所得的固液混合粉末置于圆柱体模具中,同时放入热压机中进行冷烧结,获得陶瓷生坯;(3)将步骤(2)的陶瓷生坯置入80-200℃烘箱中烘干至恒重;(4)将步骤(3)的陶瓷生坯放入高温烧结炉中,在700-950℃退火处理获得致密的BaF-2微波介质陶瓷。利用本发明制备的BaF-2陶瓷致密度可高达98%,其品质因数相比较于传统固相烧结法可提高53.4%以上,在5G高频段通讯领域中天线基板,谐振器等电子元器件中有广泛的应用前景。