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[00901480]基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN202010299593.1

交易方式: 其他

联系人:

所在地:浙江杭州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

本发明涉及一种基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及制备方法,所述探测器包括依次设置的柔性铜片衬底,所述柔性铜片衬底的至少一侧具有氧化铜层,位于所述铜片衬底一侧的氧化铜层上设置β-Ga,2,O,3,纳米柱阵列,位于所述β-Ga,2,O,3,纳米柱阵列上的石墨烯/Ag纳米线复合层,位于所述石墨烯/Ag纳米线复合层上的Ag电极,所述氧化铜与所述β-Ga,2,O,3,纳米柱阵列之间形成氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结,所述柔性铜片衬底作为铜电极与所述Ag电极形成通路。本发明的紫外探测器,具有三维空间异质结界面结构和日盲特性,具有优异的化学和热稳定性,柔性可弯曲,耐压强,工作温度和功耗低,重复性良好,可定向识别波长位于日盲波段的200-280nm的紫外光。
本发明涉及一种基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及制备方法,所述探测器包括依次设置的柔性铜片衬底,所述柔性铜片衬底的至少一侧具有氧化铜层,位于所述铜片衬底一侧的氧化铜层上设置β-Ga,2,O,3,纳米柱阵列,位于所述β-Ga,2,O,3,纳米柱阵列上的石墨烯/Ag纳米线复合层,位于所述石墨烯/Ag纳米线复合层上的Ag电极,所述氧化铜与所述β-Ga,2,O,3,纳米柱阵列之间形成氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结,所述柔性铜片衬底作为铜电极与所述Ag电极形成通路。本发明的紫外探测器,具有三维空间异质结界面结构和日盲特性,具有优异的化学和热稳定性,柔性可弯曲,耐压强,工作温度和功耗低,重复性良好,可定向识别波长位于日盲波段的200-280nm的紫外光。

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