[00868061]镓铝砷材料光学、电学性质及其能谱的研究
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该项成果建立了可进行多层外延、生长供制作不同光电器件用的ＧａｘＡＬｘＡｓ材料的设备。该设备采用了独特的石墨舟结构，该校用上述设备研制成了不同掺杂浓度、不同组分的外延材料，并对这些材料的光、电特性和能带结构关系进行了比较深入的研究。即研究了铝、镓、砷三元系在富镓区相图，提供了比文献更为细致的数据和更简便的计算方法；用二能谷近似计算ｎ型ＧａＡｌＡｓ中碲施主能级随铝组织的变化；用导带三能谷模型具体讨论了ｎ－ＧａＡｌＡｓ中载流子浓度的温度特性；提出了分析三元半导体合金霍尔迁移率随组分变化的半经验方法。