[00866842]钨丝掩膜离子注入垂直腔面发射激光器
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技术详细介绍
该项目为“MBE超晶格材料生长与垂直腔微腔激光器－垂直腔微腔激光器的研究”该项目以采用具有Al渐变层的DBR材料和GaAs量子阱的VCSEL结构外延片，发明设计了钨丝掩膜离子注入垂直腔面发射激光器器件结构和工艺方法，同时发明开发了大角度离子注入制作器件的技术，通过对注入次数、角度、剂量、能量的优化，制作出主要参数居于已报道的国外同类离子注入型器件产品的最好水平，某些参数超过氧化限制器件产品的批量器件。它作为一种光源，以其出射光垂直于衬底，光束发散角小，激光器便于大规模集成等特点，在光通信、光互连、光存储等领域中具有很大的应用前景并发挥越来越重要的作用。