[00769202]1.3微米半导体激光器超高速电光采样技术
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面议
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类型:
非专利
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技术详细介绍
电光采样测试装置是光学平台上的实验研究系统,对外提供测量服务,并为“八五”期间实现电光采样仪器化奠定了技术基础。该装置主要技术指标如下:电压灵敏度0.26mV/根号下Hz,时间分辨率典型值为11.3ps,工作频率在1~5GHz范围内连续可调。该装置已达到80年代美国贝尔实验室的水平。可用于高速探测器或电子器件的脉冲响应和频率特性的测量,还可代替价格昂贵的进口采样示波器和微波频谱仪。在高速GaAs、InP集成电路芯片的研制和生产过程中,需对芯片内部的某些关键部位上的动态特性进行无触点检测,以查明是否达到设计要求,该测量装置正可用于这一测量目的。
电光采样测试装置是光学平台上的实验研究系统,对外提供测量服务,并为“八五”期间实现电光采样仪器化奠定了技术基础。该装置主要技术指标如下:电压灵敏度0.26mV/根号下Hz,时间分辨率典型值为11.3ps,工作频率在1~5GHz范围内连续可调。该装置已达到80年代美国贝尔实验室的水平。可用于高速探测器或电子器件的脉冲响应和频率特性的测量,还可代替价格昂贵的进口采样示波器和微波频谱仪。在高速GaAs、InP集成电路芯片的研制和生产过程中,需对芯片内部的某些关键部位上的动态特性进行无触点检测,以查明是否达到设计要求,该测量装置正可用于这一测量目的。