[00765106]薄膜太阳能电池吸收层CulnSe2薄膜的制备方法

采用离子束溅射沉积法，通过精确调整离子束溅射参数，先后溅射Cu、In和Se靶制备三元叠层或三元周期叠层薄膜，在同一高真空环境下，高温原位退火制备CuInSe<,2>薄膜。该方法优化工艺、操作简单，提高原材料的利用率且制备的CuInSe<,2>薄膜具有典型的黄铜矿结构，Cu/In/Se原子比接近理想化学计量比，其光学带隙值为1.05ev，光吸收系数高达10<'5>cm<'-1>，薄膜电阻率低于0.01Ωcm，均满足高效率薄膜太阳电池吸收层性能的要求。技术创新：采用离子束溅射沉积技术，先后溅射Cu、In和Se靶在基底表面上沉积三元溅射叠层或周期叠层，在同一高真空环境下高温原位退火叠层直接制各CuInSe<,2>薄膜。该方法省略后硒化工艺且避免剧毒气体se或H<,2>Se的引入，实现了不破坏真空的条件下一次完成CuInSe<,2>薄膜的制备，简化工艺流程、提高原材料利用率、优化成膜环境和提高薄膜的成膜质量。专利情况：薄膜太阳能电池吸收层CuInSe<,2>薄膜的制备方法；申请号：200910110216.2；公开号：CN101777604.A；应用领域：涉及光电材料领域，尤其涉及一种薄膜太阳能电池吸收层铜铟硒系(cuInSe<,2>)薄膜的制备方法。市场前景：采用离子束溅射沉积法制备CuInSe<,2>薄膜，省略现阶段大规模生产中金属预制层后硒化法中的后硒化工艺，对降低制备成本、提高成品率和实现大面积制备等具有一定的优势。以采用离子束溅射沉积法制备CuInSe<,2>薄膜。辅以成熟的方法制备CuInSe<,2>薄膜太阳电池相关功能材料膜层，可望实现制备高效率CuInSe<,2>薄膜太阳电池。均符合工业生产的需求，具有广阔的市场前景。合作方式：技术转让，许可使用，合作开发。