技术详细介绍
成功在石墨烯/SiC衬底上实现了应变弛豫GaN薄膜的外延生长，并发现了其在长波长LED中的应用潜力。研究发现，石墨烯的插入极大地降低了GaN薄膜中的双轴应力，有效提高了InGaN阱层中In原子并入，使S子阱发光波长显著红移。该成果有助于推动高性能、长波长氮化物发光器件发展。相关结果以“Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes”为题发表在国际顶尖学术期刊《Light:Science&Applications》。
