[00341076]一种单片集成半导体阵列器件及其制备方法
联系人：曹老师
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明实施例公开了一种单片集成半导体阵列器件及其制备方法，该阵列器件包括衬底及位于衬底上阵列排布的多个集成半导体器件；集成半导体器件包括HEMT及LED；HEMT位于衬底的第一区域，HEMT包括沿远离衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层及源极和栅极；LED位于衬底的第二区域，LED包括沿远离衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层及p型电极；n型层的侧壁与沟道层的侧壁接触。本发明实施例提供的阵列器件完全基于三族氮化物，阵列中的单个器件为HEMT-LED集成器件，器件内部无需金属线连接，可以简化器件结构，减少寄生电阻，制备更小尺寸的LED微显示器，实现完全基于三族氮化物的微显示器。