[00338359]高品质、低成本氮化铝陶瓷制品的开发
联系人：李老师
所在地：湖南长沙市
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技术详细介绍
项目内容
随着电子信息产业向着大功率集成电路和超大规模集成电路的发展，集成电 路用基板材料不仅要求绝缘性能好，同时对散热性能和机械强度也提出更高要札还有作为 电子元件，如大功率电力机车整流散热板，也有同样的要求。作为这类元件材料，最常用的有A12O3陶瓷，它不仅具有良好的机械强度及电绝缘性，并且成本低、制备工艺成熟，但导热率仅为2OW/m - K,不能适应大规模集成电路发展的要求，因此世界上一些发达国家从八十年代初期开始积极从事高导热瓷基片材料开发工作。其中，A1N陶瓷的性能最为优异，日本对AIN开发得很早，技术也很成熟，曾研制出260W/mK的A1N陶瓷。
本项目改进配方及烧成工艺，提高了晶界相的移动速度，通过电子显微镜观察及电子探 针分析，按常规工艺烧结方法，在1900°C保温4小时的A1N晶界上存在不少的A1N-Y2O3晶 界相，而采取本方法在相同的温度及时间下，A1N陶瓷的晶界上已观察不到A1N-Y2O3相。 因此，得到导热率在230W/mK以上的A1N陶瓷。
本项目A1N陶瓷材料可达到的技术指标并与A12O3陶瓷比较。
应用范围
电子工业及国防工业。
投资及效益分析
中试需100万元左右，但产值可达200万元/年。
合作方式
合作开发或其他合作形式。