[00335026]一种数字式自旋阀磁场传感器及其制备技术
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201310173683.6
交易方式：
资料待完善
联系人：
安徽大学
进入空间
所在地：安徽合肥市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种用来测量磁场的低成本、高精度的传感器件，具体是涉及一种数字式自旋阀磁场传感器及其制备技术。基片上所采用的巨磁电阻自旋阀薄膜材料结构是由多层纳米量级厚度的巨磁电阻和隧道结自旋阀材料构成，其核心结构依次为缓冲层、反铁磁层、第一铁磁层、非磁性层、第二铁磁层和保护层，第一铁磁层呈厚度连续变化的楔形。本发明可以以较低的成本实现极高精度和稳定性的磁场大小探测，并具有极高的抗干扰性。并且光刻技术可以制备出极小的自旋阀磁场传感器单元，因此该技术方法可以通过对该单元大小和数量的控制实现极高的磁场测量的分辨率，即使在强磁场下也不会损坏，且外围电路简单，避免了由于电路复杂和信噪比等因素导致的测量误差。
摘要：本发明涉及一种用来测量磁场的低成本、高精度的传感器件，具体是涉及一种数字式自旋阀磁场传感器及其制备技术。基片上所采用的巨磁电阻自旋阀薄膜材料结构是由多层纳米量级厚度的巨磁电阻和隧道结自旋阀材料构成，其核心结构依次为缓冲层、反铁磁层、第一铁磁层、非磁性层、第二铁磁层和保护层，第一铁磁层呈厚度连续变化的楔形。本发明可以以较低的成本实现极高精度和稳定性的磁场大小探测，并具有极高的抗干扰性。并且光刻技术可以制备出极小的自旋阀磁场传感器单元，因此该技术方法可以通过对该单元大小和数量的控制实现极高的磁场测量的分辨率，即使在强磁场下也不会损坏，且外围电路简单，避免了由于电路复杂和信噪比等因素导致的测量误差。
