[00331803]一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法
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技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法，选用无掺杂高质量的半导体量子阱材料，用能量高于此半导体量子阱带隙的光照射样品，同时改变半导体量子阱的温度来调控量子阱中Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合的比值。本发明利用半导体量子阱中光生激子数量随温度的变化效应以及离化激子对内建电场的调控效应，来实现对Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值进行调控的目的，方法简单易行，调控效果明显。