[00327071]具有复合式背镀反射层的发光二极管
联系人：陈学坤
所在地：福建厦门市
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技术详细介绍
一、成果介绍
以蓝宝石为生长衬底的正装结构氮化像基发光二极管芯片是目前第三代照明的核心技术。对于正装结构的氮化像基发光二极管,为 了提升出光效率,通常在蓝宝石衬底背面加镀一反射镜。目前,行业主流的技术是采用透明介质堆(如分布式布拉格反射镜,简称 DBR）,或者叠加金属铝组成全方位反射镜(0DR）。这种技术存在散热性能问题以及反射率仍有提升空间。本专利采用引入式透明黏附层即碳化硅,实现含银复合式背镀反射层结构的氮化像基发光二极管芯片,获 得最大化背镀反射率及最优成本构造。相比于行业现有技术具有明显优越性。
二、预期市场前景与效益
采用本专利技术的氮化像发光二极管芯片产品可以在最优成本的条件下有效提高发光效率,从而提高芯片产品售价和利润率。
三、合作方式
专利技术转让