技术详细介绍
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。
本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。
此外，本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。