技术详细介绍
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。
制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。
本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。
制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。
本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。