[00298041]一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
自动化元件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510014673.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华中科技大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法，包括：(a)在基片的一个表面旋凃光刻胶，并执行显影操作得到第一圆孔阵列；(b)在基片含光刻胶表面依次沉积粘附层和种子层；(c)在种子层表面旋凃光刻胶，并执行显影操作得到第二圆孔阵列；(d)同时对第一圆孔阵列和第二圆孔阵列进行电镀填充，得到金属的T状微柱结构；(e)去除光刻胶及多余粘附层和种子层；(f)在T状微柱表面沉积一层保护层；(g)去除微柱T状结构的横状伸出部分并保留柱状结构和保护层，得到一种凹角T状微柱结构。按照本发明的制造方法，能非常可控地制备不同尺度的目标结构，工艺窗口宽，重复性好，化学稳定性高，同时拥有优异的超疏水性、自清洁能力。
摘要：本发明公开了一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法，包括：(a)在基片的一个表面旋凃光刻胶，并执行显影操作得到第一圆孔阵列；(b)在基片含光刻胶表面依次沉积粘附层和种子层；(c)在种子层表面旋凃光刻胶，并执行显影操作得到第二圆孔阵列；(d)同时对第一圆孔阵列和第二圆孔阵列进行电镀填充，得到金属的T状微柱结构；(e)去除光刻胶及多余粘附层和种子层；(f)在T状微柱表面沉积一层保护层；(g)去除微柱T状结构的横状伸出部分并保留柱状结构和保护层，得到一种凹角T状微柱结构。按照本发明的制造方法，能非常可控地制备不同尺度的目标结构，工艺窗口宽，重复性好，化学稳定性高，同时拥有优异的超疏水性、自清洁能力。
