技术详细介绍
技术原理
气体传感器被应用于多种环境，在不断地更新换代中，半导体气体传感器由于其相对低廉的制造成本和优异的性能，被广泛关注。传统半导体气体传感器大多以硅作为基底，使得这些器件受到硅材料本身特性限制，如高温特性差、抗辐照能力差等。氮化镓气体传感器是基于传统氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）所制作的场效应气体传感器。它凭借氮化镓相对于硅的材料优势，以及GaN/AlGaN异质结产生的高电子迁移率，能实现硅基气体传感器所无法实现的高温气体传感器应用，填补了业界的空白。
技术先进性
氮化镓（GaN）作为新一代半导体材料，通过GaN/AlGaN异质结产生的二维电子气（2DEG）实现源漏极的电子输运，可以很好的降低高温对其电学特性的影响。此外，功能性的栅极金属是氮化镓气体传感器的关键所在，通过待测气体与栅极金属表面的反应、降解，影响栅极附近的二维电子气浓度，从而可以灵敏地探测出电场变化，实现对气体的探测。相较于传统半导体气体探测器，氮化镓气体传感器凭借材料特性实现了以往不能实现的高温应用，为汽车、工厂、实验室、极端环境探测等多种行业的安全提供了保障。
应用市场
汽车尾气探测、实验室气体检测、工厂高温区气体探测、极端环境气体探测等。
可探测气体：H2S，H2，NO2等。
