[00293462]采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
电力绝缘
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610912434.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华南师范大学
进入空间
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法，包括：步骤S1、制作龟裂模板；步骤S2、沉积网状金属薄膜；步骤S3、去除龟裂模板；步骤S4、原位选择性生长石墨烯。本发明能够确保石墨烯薄膜对网状金属薄膜保护的可靠性，并能够提高复合透明电极的光透射率、导电性、机械性能以及环境稳定性，具有适于复合透明电极的大范围低成本制备、步骤简单、流程少、生长时间短、降低了反应温度的优点。
摘要：本发明公开了一种采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法，包括：步骤S1、制作龟裂模板；步骤S2、沉积网状金属薄膜；步骤S3、去除龟裂模板；步骤S4、原位选择性生长石墨烯。本发明能够确保石墨烯薄膜对网状金属薄膜保护的可靠性，并能够提高复合透明电极的光透射率、导电性、机械性能以及环境稳定性，具有适于复合透明电极的大范围低成本制备、步骤简单、流程少、生长时间短、降低了反应温度的优点。
