[00284476]一种rGO‑In2O3纳米微球复合材料的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710504940.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
济南大学
进入空间
所在地：山东济南市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供了一种rGO‑In2O3纳米微球复合材料的制备方法。该制备方法具体包括以四水合三氯化铟，十二胺为原料，经水热反应，煅烧处理后得到氧化铟纳米微球；然后用氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对氧化铟表面进行处理，使其表面带有正电荷；进而将带有正电荷的氧化铟与氧化石墨烯分散至去离子水中，使其二者结合，最后用水热法将氧化石墨烯还原，最终得到rGO‑In2O3纳米微球复合材料。本方法生产工艺简单，所得rGO‑In2O3纳米微球复合材料具有p‑n异质结结构，结合了rGO比表面积大以及In2O3半导体材料的优点。本方法适用于rGO与金属半导体氧化物结合的工艺，从而得到性能优良的材料。
摘要：本发明提供了一种rGO‑In2O3纳米微球复合材料的制备方法。该制备方法具体包括以四水合三氯化铟，十二胺为原料，经水热反应，煅烧处理后得到氧化铟纳米微球；然后用氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对氧化铟表面进行处理，使其表面带有正电荷；进而将带有正电荷的氧化铟与氧化石墨烯分散至去离子水中，使其二者结合，最后用水热法将氧化石墨烯还原，最终得到rGO‑In2O3纳米微球复合材料。本方法生产工艺简单，所得rGO‑In2O3纳米微球复合材料具有p‑n异质结结构，结合了rGO比表面积大以及In2O3半导体材料的优点。本方法适用于rGO与金属半导体氧化物结合的工艺，从而得到性能优良的材料。
